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薄膜方块电阻测试仪适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
点击次数:87 发布时间:2018-03-19
 

薄膜方块电阻测试仪 型号:NXTR-1A/1B 货号:ZH8860 
产品简介:
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及专业测量软件组成 
使用范围
适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
产品特点
可测方块电阻:适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
测试量程大,电阻率测试仪
主机配置了“小游移四探针头”保证了一起数据的准确性 
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度大大提高
测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差,   实现了测量的高精度和极宽的量程范围
双数字表结构使测量更,操作更简便
具有强大的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性大大提高
采用进口元器件,留有更大的安全系数,大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的特制恒流源(万分之五精度),不受气候条件的影响
具有正测反测的功能,保证测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
测量范围
10-5 ------1.9*105  Ω?cm
10-4------1.9*104  Ω?cm
可测硅棒尺寸: zui大长度300mm;直径20mm(均可按用户要求更改)
输出电流:DC0.001-100mA  五档连续可调   测量范围:0-199.99mV 
灵 敏 度: 10μA
输入阻抗:1000ΩM
电阻测量误差:各档均低于±0.05%
供电电源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境:温度:23±2℃   相对温度:≤65%
 

 
 
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