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产品型号: |
NXTR-1A/1B |
产品名称: |
薄膜方块电阻测试仪 |
产品报价: |
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产品特点: |
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及专业测量软件组成 |
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NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪的详细资料: |
薄膜方块电阻测试仪 型号:NXTR-1A/1B | 货号:ZH8860 | 产品简介: 薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及专业测量软件组成 使用范围 适用于西门子法、硅烷法等生产原生多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业 产品特点 可测方块电阻:适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅 适用于西门子法、硅烷法等生产原生多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业 测试量程大,高端电阻率测试仪 主机配置了“小游移四探针头”了一起数据的准确性 仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度大大提高 测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能 独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差, 实现了测量的高精度和宽的量程范围 双数字表结构使测量更,操作更简便 具有强大的测试数据查询及打印功能 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性大大提高 采用进口元器件,留有更大的系数,大大提高了测试仪的性和使用寿命 测量电流采用高度稳定的特制恒流源(万分之五精度),不受气候条件的影响 具有正测反测的功能,测试结果的准确性 具有抗强磁场和抗高频设备的性能 测量范围 10-5 ------1.9*105 Ω?cm 10-4------1.9*104 Ω?cm 可测硅棒尺寸: zui大长度300mm;直径20mm(均可按用户要求更改) 输出电流:DC0.001-100mA 五档连续可调 测量范围:0-199.99mV 灵 敏 度: 10μA 输入阻抗:1000ΩM 电阻测量误差:各档均低于±0.05% 供电电源:AC 220V ±10% 50/60Hz. 推荐使用环境:温度:23±2℃ 相对温度:≤65% |  | |
产品相关关键字: 薄膜方块电阻测试仪 型号:NXTR-1A/1B |
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