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产品型号： |
NXTR-1A/1B |
产品名称： |
薄膜方块电阻测试仪 |
产品报价： |
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产品特点： |
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份（简称：主机）、测试架、四探针头及专业测量软件组成 |
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NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪的详细资料： |
| 薄膜方块电阻测试仪 型号：NXTR-1A/1B | 货号：ZH8860 | 产品简介:
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份（简称：主机）、测试架、四探针头及专业测量软件组成
使用范围
适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
产品特点
可测方块电阻：适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
测试量程大，高端电阻率测试仪
主机配置了“小游移四探针头”保证了一起数据的准确性
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度大大提高
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差， 实现了测量的高精度和极宽的量程范围
双数字表结构使测量更精确，操作更简便
具有强大的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高
采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响
具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
测量范围
10-5 ------1.9*105 Ω?cm
10-4------1.9*104 Ω?cm
可测硅棒尺寸： zui大长度300mm；直径20mm（均可按用户要求更改）
输出电流：DC0.001-100mA 五档连续可调 测量范围：0-199.99mV
灵 敏 度： 10μA
输入阻抗：1000ΩM
电阻测量误差：各档均低于±0.05%
供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境：温度：23±2℃ 相对温度：≤65% | 
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| 产品相关关键字： 薄膜方块电阻测试仪 型号：NXTR-1A/1B |
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