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数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪(铸造多晶)
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产品型号:
ZH8204
产品名称:
数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪(铸造多晶)
产品报价:
产品特点:
本设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法"设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次全国十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,因此制样特别简便。
  ZH8204数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪(铸造多晶)的详细资料:

数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪(铸造多晶)
型号:ZH8204
 
:
100C型200型的的zui大区别只是红外激光管的功率大了一倍,加了个红外地光照破除陷进效应
τ:1~6000μs   ρ>0.1Ω·cm太阳能级硅片寿命,配已知寿命样片、配数字示波器,
本设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次全国十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,因此制样特别简便。
产品特点:
可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量,仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。
可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。
配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。
专门为消除陷进效应增加了红外低光照。
测量范围宽广
测试仪可直接测量:
 a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
范    围:0.5μs~6000μs
电 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回炉料)
测试速度:1分钟/片
红外光源波长: 0.904~0.905μm
高频振荡源:用石英谐振器,振荡频率:30MHZ
前置放大器,放大倍数约25,频宽2HZ-2MHZ
可测单晶尺寸:断面竖测:
直径25mm-150mm;厚度2mm-500mm
纵向卧测:直径5mm-20mm;长度50mm-200mm
测量方式:采用数字示波器直接读数方式
测试分辨率:专用数字存储示波器zui小分辨率0.01μs
设备重量:20 Kg
仪器电源:电源电压类型:单相210~230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压,不能与未做保护措施的大功率、高频设备共用电源。

 

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