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产品型号： |
KDKLT-200 |
产品名称： |
数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪（铸造多晶） |
产品报价： |
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产品特点： |
高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟的测试方法，适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 |
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KDKLT-200数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪（铸造多晶）的详细资料： |
数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪（铸造多晶）
型号：KDKLT-200 | 货号：ZH8204 | 产品简介:
100C型200型的的zui大区别只是红外激光管的功率大了一倍，加了个红外地光照破除陷进效应
τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω·cm太阳能硅片寿命，配已知寿命样片、配数字示波器，
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟的测试方法，适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。
产品特点：
1.可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。
2.可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面抛光、钝化。
3.配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。
4.配置两种波长的红外光源：
a.红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b.短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。
5.测量范围宽广测试仪可直接测量：
a.研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
b.抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。 | 
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| 产品相关关键字： 数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪（铸造多晶）型号：KDKLT-200 |
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