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半导体材料(硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率的测量
点击次数:39 更新时间:2025-06-17
方块电阻测定仪用于测量半导体材料(硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份(简称:主机)、测试架及四探针头组成。
仪器是配精度为0.05%的恒流源、恒流源开关以及双数字表,在测量电阻率的同时,数字表监测电流变化,仪器可选配测量软件用于测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正,并计算出硅片电阻率、径向电阻率的MAX百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度。
规格参数
测量范围:
测电阻率:0.00001~199000Ω·cm
测方块电阻:0.001~1000000Ω/□
恒流源:
直流输出电流:0.001~100mA五档可调
量程范围:0.001~0.01mA、0.01~0.10mA、0.10~1.0mA、1.0~10mA、10~100mA
恒流精度:±0.05%
直流数字电压表:
测量范围:0~199.99mV
灵敏度:1μV
基本误差:±(0.004%读数+0.01%)
输入阻抗:≥1000MΩ
测量精度:1~1000Ω·cm≤3%
供电电源:AC 220V±10%,50z/60Hz
功率范围:12W
环境温度:23±2℃
相对湿度:≤65%

四探针电阻率/方阻测试仪0.00001-19900Ω·cm(高阻型)

型号:GDSKDY-1H


 
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