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单晶P/N型号测试仪方案
点击次数:74 发布时间:2022-06-23

本仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号,配置了可自动恒温的热探笔,并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块都可以准确地鉴定出导电型号。
适用范围
适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等,生产原生多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
产品特点
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度大大提高
测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
%特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差,   实现了测量的高精度和,宽的量程范围
双数字表结构使测量%,,操作%简便
具有强大的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、,值、,值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性大大提高
采用进口元器件,留有%大的,系数,大大提高了测试仪的,性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的特制恒流源(万分之五精度),不受气候条件的影响
具有正测反测的功能,,测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
,参数
测量范围
锗:近本征锗≤103 Ω?cm    硅≤103 Ω?cm
显示方式: 液晶直显
功    耗:30W
供电电源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境:温度:23±2℃   相对温度:≤65%

 
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